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                  英特尔推出Intel Optane存储器H10,进一步挑战三星、SK海力士的地位

                  ICChina ? 2019-05-06 15:03 ? 次阅读

                  日前,处理器大厂英特尔推出结合 DRAM 及 NAND Flash 优点于其中的 Intel Optane 存储器 H10,期望凭借着英特尔本身在服务器处理器上的市占率优势,将 H10 推广到服务器当中,进一步挑战目前服务器存储器中三星与 SK 海力士的地位。

                  而对于来势汹汹的英特尔,三星与 SK 海力士随即表示,将推出相类似的产品以抗衡英特尔。因此,服务器存储器大展进入一触即发的状态。

                  根据韩国媒体《ETnews》的报导,英特尔日前推出将 Intel Optane 与 Intel QLC 3D NAND 技术结合在一个 M.2 ??榈敝械?Intel Optane 存储器 H10。虽然英特尔宣称,H10 将适用于轻薄的笔记型计算机上,以及某些空间受限的桌上型计算机,提供了当今传统 Triple Level Cell (TLC) 3D NAND SSD 无法满足的更高效能,并且减少对于第 2 颗资料储存设备的需求。

                  但是,因为 H10 具备着融合了 DRAM 与 NAND Flash 的优点,那就是虽然在 DRAM 的存储器速度比过去传统的存储器稍慢,却有着价格上的优势,而且具有 NAND Flash 断电后资料依旧能保存,成为另外储存空间的优点。而且,因为英特尔与美光多年来所开发的 3D XPoint 技术,可以将 NAND Flash 的速度提高 1,000 倍,而且延长持续使用时间的情况下,更使其适合在服务器内所使用。因此,对于当前服务器存储器的两大厂商──三星与 SK 海力士来说的确造成威胁,使得三星与SK海力士也宣布将推出相类似的产品应战。

                  报导表示,英特尔的 H10 被称之为下一代的存储器储存装置,而且采用 Intel Optane 存储器 H10 的第 8 代 Intel Core U 系列行动平台,将于本季稍晚透过主要 OEM 厂商推出。透过这些平台,日常用户将能够在多工处理时,达到启动文件档案的速度提高 2 倍,或者游戏启动速度提高 60%,以及打开媒体档案的速度提高 90% 的效能。

                  而随着笔电使用的 H10 问世,未来英特尔在服务器方面的相关产品也将会很快地推出,而凭借着英特尔在服务器上的高市占率优势,未来将会影响到三星与 SK 在服务器存储器上的市占率。因此针对次此一市场,三星与海力士也将推出相类似的产品竞争,不让英特尔专美于前。?

                  原文标题:英特尔H10存储器威胁服务器市场,三星与 SK 海力士也将推新品

                  文章出处:【微信号:ic-china,微信公众号:ICChina】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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                  的头像 扩展触控快讯 发表于 06-18 15:41 ? 297次 阅读
                  2023年全球OLED产能增幅将达100%

                  三星华为折叠手机之路“一波三折”

                  华为可折叠手机Mate X将推迟至9月上市,售价约为2299欧元
                  的头像 DIGITIMES 发表于 06-18 14:19 ? 972次 阅读
                  三星华为折叠手机之路“一波三折”

                  SK电讯与诺基亚、爱立信达成协议 与三星争相布局6G

                  韩媒称,韩国SK电信公司近日说,它已与两家欧洲电信设备制造商达成协议,将联手提升商用5G网络的性能,....
                  的头像 满天芯 发表于 06-18 14:09 ? 395次 阅读
                  SK电讯与诺基亚、爱立信达成协议 与三星争相布局6G

                  高通、英特尔、美光等公司“游说”美政府 要求放宽华为禁令

                  有消息人士指出,尽管华为自己避开了典型的政府游说活动,有部分芯片制造商知道断绝与华为的合作关系将对自....
                  的头像 芯闻社 发表于 06-18 14:01 ? 482次 阅读
                  高通、英特尔、美光等公司“游说”美政府 要求放宽华为禁令

                  为什么MPLAB X IDE在编译时总是删除EE数据存储器?

                  你好,我有一个PIC18F46k80单片机的项目,它有一个内部EEPROM。每次我编译程序并运行(程序)应用程序,MPLAB X...
                  发表于 06-18 13:50 ? 19次 阅读
                  为什么MPLAB X IDE在编译时总是删除EE数据存储器?

                  如何识别哪些地址用于我的EEPROM存储器?

                  IAM即将完成PSOC3(我的第一个主要项目)的创建者项目,并希望在发布之前使用一些闪存?;?。在TRM或某个地方,闪存?;?..
                  发表于 06-18 09:14 ? 75次 阅读
                  如何识别哪些地址用于我的EEPROM存储器?

                  DSP内嵌DARAM电路设计

                  摘要:介绍了一种DSP芯片内嵌DARAM的电路结构,详细分析了接口电路中各个??榈墓δ?,包括地址译码电路,字线译码电路,...
                  发表于 06-18 05:00 ? 29次 阅读
                  DSP内嵌DARAM电路设计

                  请问10s音频存储在ddr存储器,需要怎么编程?

                  [tr]打算用line-in或者mic-in录制一段10s音频,然后再播放,这10s音频临时存储在ddr存储器,需要怎么编程,不是很懂。 [/tr][...
                  发表于 06-17 06:08 ? 32次 阅读
                  请问10s音频存储在ddr存储器,需要怎么编程?

                  基于DSP的存储器接口宽度调节设计

                    TMS320C32是美国TI公司生产的一款浮点数字信号处理器(DSP),是TMS320系列浮点数字信号处理器的新产品,其CPU...
                  发表于 06-14 05:00 ? 71次 阅读
                  基于DSP的存储器接口宽度调节设计

                  分布式RAM XST合成错误

                  你好! 我在spartan-6的设计中有一个子采样???。 这个??橛屑父瞿诖媸道╒erilog描述,不是原始的),每个通道都有相同的...
                  发表于 06-12 14:17 ? 30次 阅读
                  分布式RAM XST合成错误

                  采用DSP实现存储器接口设计

                    TMS320C32是美国TI公司生产的一款浮点数字信号处理器(DSP),是TMS320系列浮点数字信号处理器的新产品,其CPU...
                  发表于 06-12 05:00 ? 42次 阅读
                  采用DSP实现存储器接口设计

                  冯诺依曼体系结构和组成

                  冯诺依曼体系及操作系统
                  发表于 06-11 07:09 ? 52次 阅读
                  冯诺依曼体系结构和组成

                  三星的exynos 4412四核开发板体验怎么样?

                  三星的exynos 4412四核开发板有人用过吗?体验怎么样?...
                  发表于 06-10 05:55 ? 32次 阅读
                  三星的exynos 4412四核开发板体验怎么样?

                  LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线,串行接口,16 kbits(2k x 8位)

                  信息 LE2416RLBXA是一个2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该设备与I C内存协议兼容;因此,它最适合需要小规??芍匦捶且资圆问娲⑵鞯挠τ?。 单电源电压:1.7V至3.6V(读?。?擦除/写入周期: 10 循环(页面写入) 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40到+ 85°C 接口:双线串行接口(I C总线) 工作时钟频率:400kHz 低功耗: 待机:2μA(最大) 有效(读?。?.5mA(最大) 自动页面写入模式:16字节 读取模式:顺序读取和随机读取 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性...
                  发表于 04-18 20:23 ? 6次 阅读
                  LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线,串行接口,16 kbits(2k x 8位)

                  TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

                  信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...
                  发表于 04-18 20:08 ? 32次 阅读
                  TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

                  TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

                  信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
                  发表于 04-18 20:05 ? 28次 阅读
                  TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

                  TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

                  信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) ?;すδ?,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
                  发表于 04-18 20:05 ? 26次 阅读
                  TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

                  TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

                  信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断?;?。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
                  发表于 04-18 20:05 ? 33次 阅读
                  TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

                  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

                  信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
                  发表于 04-18 20:05 ? 44次 阅读
                  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

                  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I2C接口和50-TP存储器

                  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I2C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展...
                  发表于 04-18 19:35 ? 4次 阅读
                  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I2C接口和50-TP存储器

                  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

                  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展工业...
                  发表于 04-18 19:35 ? 6次 阅读
                  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

                  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

                  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:?55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
                  发表于 04-18 19:31 ? 4次 阅读
                  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

                  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

                  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+? 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
                  发表于 04-18 19:31 ? 0次 阅读
                  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

                  AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

                  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写?;すδ?上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 μs EEMEM重写时间:540 μs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
                  发表于 04-18 19:29 ? 0次 阅读
                  AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

                  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

                  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写?;すδ?上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 μs EEMEM重写时间:540 μs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
                  发表于 04-18 19:29 ? 2次 阅读
                  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

                  AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

                  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写?;?数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值?;镜髡J骄褪窃谟伪晡簧柚?RDAC)寄...
                  发表于 04-18 19:29 ? 34次 阅读
                  AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

                  AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

                  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写?;?数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值?;镜髡J骄褪窃谟伪晡簧柚?RDAC)寄存器...
                  发表于 04-18 19:29 ? 64次 阅读
                  AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

                  AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

                  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写?;?电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI?-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
                  发表于 04-18 19:28 ? 64次 阅读
                  AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

                  AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

                  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 μs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写?;?游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和??啬芰?。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可?;E...
                  发表于 04-18 19:28 ? 33次 阅读
                  AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

                  CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

                  信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片?。ǎ┦淙肫粲?。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写?;すδ?,包括部分和全部阵列?;?。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件?;?低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写?;?- ?;? / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写?;さ母郊颖晔兑?..
                  发表于 04-18 19:13 ? 40次 阅读
                  CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

                  CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

                  信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片?。ǎ┦淙肫粲?。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写?;すδ?,包括部分和全部阵列?;?。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写?;さ母郊颖晔兑常ㄐ虏罚?自定时写周期 硬件和软件?;? 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写?;? / li> - ?;? / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
                  发表于 04-18 19:13 ? 38次 阅读
                  CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

                  CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

                  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片?。ǎ┢粲?。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写?;すδ?,包括部分和全部阵列?;?。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件?;?块写?;? - ?;? / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
                  发表于 04-18 19:13 ? 42次 阅读
                  CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

                  CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

                  信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片?。ǎ┦淙肫粲?。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写?;すδ?,包括部分和全部阵列?;?。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件?;?块写?;?- ?;? / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
                  发表于 04-18 19:13 ? 48次 阅读
                  CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器
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